:主要特点
A:重复率0-50kHz B:晶压0-4.2kV连续可调 C:高压脉冲沿<10.0ns D:TTL电平触发 E:无延时 F:24V供电,满负荷电流小于2A G:差分输出 |
H:加压式电光调Q I:高压恢复时间小于3μs
|
二:应用范围 (驱动“普克尔斯盒”)
A:KD*P B:LiNbO3 C:其它
三:电源参数
类型 |
数值 |
单位 |
备注 |
输出电压 |
0-4.2 |
KV |
|
高压脉冲上升沿 |
<10.0 |
nS |
当负载<3pF时, |
调Q晶体 |
KD*P、LiNbO3 |
|
|
延时 |
无延时 |
|
实际延时约100ns |
延时抖动 |
- |
|
|
高压恢复时间 |
<3 |
μS |
当负载为3pF时,10%至90% |
输出接口 |
同轴线 |
|
|
电源输入 |
24 |
V |
|
功耗 |
<50 |
W |
50kHz,4.2kV |
工作频率 |
0-50k |
Hz |
支持单脉冲工作 |
触发信号上升沿 |
<1 |
uS |
|
触发信号 高电平 |
3.3-5.0 |
V |
TTL电平 |
四:调Q驱动简介
图1 调Q驱动输入口图
1、TTL TRIG & GND(细红黑线):输入触发信号为3.3V-5VTTL电平,触发为上升沿触发,信号吸收的电流小于10mA。本电源由于内部功率元器件的限制,为防止频率过高导致高压开关响应不够而损坏电源,触发信号输入频率不应超过电源额定频率50kHz。请注意,该接口应在关机时连接,请勿开机连接,防止接触不良造成短时间超频损坏电源。
2、Voltage adj:
该电位器用于调节晶体电压。调节范围为0-4.2kV,顺时针增大电压,逆时针减小电压。出厂前调节为4.2kV;
3、+24V&GND(粗红黑线) 电源输入端,接入24V供电电压。输出电压设定为4.2kV,无触发时静态电流<500mA。50kHz调Q不接晶体时工作电流约1.4A,接约3pF晶体时电流约1.6A。为了保证该模块工作稳定,请使用不小于5A输出的开关电源为其供电。
图2 调Q驱动输出接口图
4、晶压输出同轴线:接晶体。注意!同轴线屏蔽层对外壳有高压,请勿剥开外皮;
注意:
5.1.连接或拆下晶体、连线时,请断掉24V电源线30秒后操作;切勿带电操作,否则将导致触电或电源损坏;因本机工作频率高,内部高压电源输出功率大,因此工作时输出端口十分危险,错误操作将导致事故。
5.2.通电前请务必检查晶体的连接情况,使用高压胶带做好连线 缘,切勿将输出线芯相互短路或距离过近(<1cm)、过度靠近其他金属(<3cm),触碰机壳,触碰其他电缆,触碰光学平台,触碰激光器等, 否则将导致电源、激光器、客户设备损坏;
5.3.切勿用常见示波器探头测量输出波形;因本机是差分输出,负端不是地,如需测量波形前请务必联系我们,防止烧毁设备;
5.4 .晶体输出端在24V通电后即有高压输出;若不触发时,两个端口电压 致,对机壳电压为高压 半;即若高压设定为4kV,两个晶体端口的芯线对外壳即有2kV高压;触发后,正输出端电压迅速上升至4kV;负输出端电压迅速下降至0V。因此为了安全,在24V输入电源线断开前,严禁操作晶体及其连线,防止发生危险。
6.冷却
本机满负荷工作时功率较大,务必注意温升,否则将导致机器损坏。
冷却要求:
1.模块底板温度不超过50℃,若长期工作时发现底板温度过高,应将底板紧贴光学平台或机壳等降温;
2.模块内置散热风机不可遮挡;侧壁出风孔不可遮挡。